发明名称 积体电路熔线阵列
摘要 本发明揭示一种熔线阵列(40),由于其交点架构所致其系非常紧密并使用较少半导体面积。该揭示的交点架构减低必须水平或垂直穿过各位元单元(例如50与60)的导体之数目。因此,各位元单元要求的面积系显着减低。在一具体实施例中,各种字线(70、72、74)与位元线(80、82、84)上的选定电压集系用于程式化该等熔线(60至68)以产生具有一更紧密阻抗分布的程式化熔线。同样,各种字线(70、72、74)与位元线(80、82、84)上的选定电压集系用于读取该等熔线(60至68)。
申请公布号 TW200901627 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097107252 申请日期 2008.02.29
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 亚历山大B 霍夫勒
分类号 H03K19/177(2006.01) 主分类号 H03K19/177(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国