发明名称 半导体结构及其形成方法
摘要 本发明系提供一种半导体结构,包括:一介电层;一化学机械研磨停止层,位于该介电层上;一导线,位于该介电层内;以及一金属盖层,位于该导线之上。
申请公布号 TW200901439 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW097114627 申请日期 2008.04.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 叶名世;包天一;鲁定中
分类号 H01L27/04(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号