| 摘要 |
一些具体实施例包括记忆体单元的垂直堆叠，其中个别记忆体单元各具有一记忆体元件、一字线、一位元线及至少一个二极体。该等记忆体单元可对应于交叉点记忆体，且该等二极体可对应于频带隙经设计之二极体，其含有夹置在金属层间之两个或两个以上介电层。介电材料之穿隧属性及金属的载子注入属性可经修整以设计二极体所需属性。该等二极体可置于该等位元线及该等记忆体元件之间，或可置于该等字线及记忆体元件之间。一些具体实施例包括形成交叉点记忆体阵列的方法。该等记忆体阵列可含有记忆体单位单元的垂直堆叠，其中个别单位单元含有交叉点记忆体及至少一个二极体。 |
