氧化铟系透明导电膜之制造方法

摘要

本发明之课题是提供一种，为非晶质膜且可以容易藉由弱酸蚀刻形成图案，并且具有低电阻且高透明率可以容易予以结晶化之氧化铟系透明导电膜之制造方法。本发明之解决手段为具备：对含有氧化铟与添加元素之溅镀靶材，确认可于特定的成膜温度使非晶质膜成膜，之后，于特定的退火温度藉由退火而可以将前述非晶质膜予以结晶化之制程；与于前述特定的成膜温度成膜之非晶质膜的电阻率成为最低之氧分压的最适氧分压不同，而是求出于前述特定的退火温度进行退火而予以结晶化之膜的电阻率成为最低之氧分压，作为成膜氧分压之制程；于此成膜氧分压下藉由溅镀而使非晶质膜成膜之制程；以及于前述特定退火温度藉由对此非晶质膜进行退火，予以结晶化而形成氧化铟系透明导电膜之制程。