记忆体阵列，半导体结构与电子系统，以及形成记忆体阵列，半导体结构与电子系统之方法; AND METHODS OF FORMING MEMORY ARRAYS, SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND ELECTRONIC SYSTEMS

摘要

某些实施例包括具有部分于SOI上方延伸之电晶体闸极之DRAM，及形成此DRAM的方法。DRAM之记忆单元可位于作用区域台座内，且在某些实施例中，记忆单元可包含具有与作用区域台座之侧壁直接接触的储存节点之电容器。某些实施例包括具有整体在SOI上方之电晶体闸极之0C1T记忆体，及形成此0C1T记忆体的方法。