发明名称 间歇-连续蚀刻
摘要 一种对放置在蚀刻腔中的样品进行蚀刻的系统和方法,每次一个地将多个分离存储的蚀刻气体的充气排放到放置有将被蚀刻的样品的蚀刻腔。当保留有足够量的蚀刻气体以支持期望流量的蚀刻气体流入蚀刻腔时,终止排放蚀刻气体的每个充气。在排放蚀刻气体的至少一个充气期间,对至少一个之前排放了蚀刻气体的充气进行重新充气。继续以下过程直至样品被蚀刻到期望的程度:每次一个地将多个分离存储的蚀刻气体的充气排放,和在排放蚀刻气体的至少一个充气期间,对至少一个之前排放了蚀刻气体的充气进行重新充气。
申请公布号 CN101336312A 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN200680052048.0 申请日期 2006.11.30
申请人 埃克提斯公司 发明人 凯尔·S·勒布伊茨;大卫·L·斯伯英格尔
分类号 C23F1/00(2006.01) 主分类号 C23F1/00(2006.01)
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人 余朦;方挺
主权项 1、一种经由蚀刻系统对样品进行蚀刻的方法,所述蚀刻系统具有蚀刻气体源、在其内对样品进行蚀刻的主腔、第一膨胀腔、第二膨胀腔、和用于选择性地将每个膨胀腔连接到所述主腔和所述蚀刻气体源的器件,所述方法包括:(a)控制用于选择性连接的所述器件,从而使所述第一膨胀腔充有期望量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体,并且所述第一膨胀腔一旦充有期望量的蚀刻气体,则与所述蚀刻气体源隔断;(b)控制用于选择性连接的所述器件,从而将已充气的所述第一膨胀腔连接到所述主腔,从而使充入所述第一膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔;(c)当所述第一膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔时,控制用于选择性连接的所述器件,从而使所述第二膨胀腔充有期望量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体,并且所述第二膨胀腔一旦充有期望量的蚀刻气体,则与所述蚀刻气体源隔断;(d)在步骤(c)之后,当蚀刻气体从所述第一膨胀腔流向所述主腔时,控制用于选择性连接的所述器件,以将所述第一膨胀腔与所述主腔隔断;(e)在步骤(d)之后,控制用于选择性连接的所述器件,从而将已充气的所述第二膨胀腔连接到所述主腔,从而使充入所述第二膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔;(f)当所述第二膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔时,控制用于选择性连接的所述器件,从而使所述第一膨胀腔充有期望量的、来自于所述蚀刻气体源的蚀刻气体,并且所述第一膨胀腔一旦充有期望量的蚀刻气体,则与所述蚀刻气体源隔断;(g)在步骤(f)之后,当蚀刻气体从所述第二膨胀腔流向所述主腔时,控制用于选择性连接的所述器件,以将所述第二膨胀腔与所述主腔隔断;以及(h)在步骤(g)之后,控制用于选择性连接的所述器件,从而将已充气的所述第一膨胀腔连接到所述主腔,从而使充入所述第一膨胀腔中的蚀刻气体流向所述主腔,其中所述第一膨胀腔与所述主腔的隔断和所述第二膨胀腔与所述主腔的连接,以及所述第二膨胀腔与所述主腔的隔断和所述第一膨胀腔与所述主腔的连接,均以保持蚀刻气体基本持续流向所述主腔的方式发生。
地址 美国宾夕法尼亚州