发明名称 芯片堆叠结构及其制造方法
摘要 一种芯片堆叠结构及其制造方法,该芯片堆叠结构可以包括第一芯片,其包含第一半导体器件和电连接至第一半导体器件的第一连接焊盘;堆叠在第一芯片上的第二芯片,该第二芯片包括第二半导体器件和电连接至第二半导体器件的第二连接焊盘;以及连接组件,其介于第一连接焊盘和第二连接焊盘之间以将第一连接焊盘电连接至第二连接焊盘。该连接组件相比于芯片未被堆叠时具有更低的电阻,从而提供了高可靠性和高性能。
申请公布号 CN101335264A 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN200810127489.3 申请日期 2008.06.30
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 郑冲耕
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚;尚志峰
主权项 1.一种装置,包括:第一芯片,其包括第一半导体器件和电连接至所述第一半导体器件的第一连接焊盘;第二芯片,其堆叠在所述第一芯片上,所述第二芯片包括第二半导体器件和电连接至所述第二半导体器件的第二连接焊盘;以及连接组件,其介于所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘之间以将所述第一连接焊盘电连接至所述第二连接焊盘。
地址 韩国首尔