| 发明名称 | 具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有钨化合物存储部的存储器装置及其工艺方法。钨氧化合物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括一底电极及一存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括至少一钨氧化合物且至少可编程为至少二种电阻状态。上电极包括一阻隔材料，位于存储器元件上，且此阻隔材料是用以避免金属离子从上电极移动到存储器中。 | ||
| 申请公布号 | CN101335330A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810129097.0 | 申请日期 | 2008.06.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅;赖二琨 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种存储器装置，其特征在于，包括：一底电极；一存储器元件，位于该底电极上，该存储器元件包括至少一钨氧化合物且可编程为至少二种电阻状态；一上电极，包括：一阻隔材料，位于该存储器元件上，且该阻隔材料是用以避免金属离子从该上电极移动至该存储器元件中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||