| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路装置包括：具有在其上形成PROM(22)的衬底(10)，其中，通过光的照射改变PROM(22)的数据存储状态，以及在与形成PROM(22)的衬底(10)的同一侧上形成的多层布线结构(70)。多层布线结构(70)包括透明区域(80)、屏蔽区域(30)以及PAD部件(60)。透明区域(80)在与形成PROM(22)的PROM区域(20)相对的位置上由透明材料形成，并且作为从多层布线结构(70)至PROM(22)的导光路径。屏蔽区域(30)由设置在透明区域(80)外围的数层中的屏蔽材料连续地形成。PAD部件(60)在与透明区域(80)相关的屏蔽区域(30)的外部形成，并且控制PROM(22)的存储状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101335277A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810129553.1 | 申请日期 | 2008.06.30 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 三谷仁 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01);H01L23/522(2006.01);G11C17/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/144(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，包括：衬底，具有在其上形成的半导体存储元件，所述半导体存储元件的数据存储状态通过光的照射而改变；以及多层布线结构，在所述衬底的形成所述半导体存储元件的同一侧上形成；其中，所述多层布线结构包括：透明区域，在与形成所述半导体存储元件的元件区域相对的位置处由透明材料形成，所述透明区域用作从所述多层布线结构的外部至所述半导体存储元件的导光路径；屏蔽区域，由在所述透明区域的外围中设置在数层中的屏蔽材料连续地形成；以及电极，控制所述半导体存储元件的存储状态，所述电极在与所述透明区域相关的所述屏蔽区域的外部形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||