| 发明名称 | 形成半导体器件的精细图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括：在底层上形成旋涂碳层；借助于第一蚀刻掩模图案来形成包括含硅聚合物的抗反射图案；借助于位于所述第一蚀刻掩模图案的元件之间的第二蚀刻掩模图案来形成包括含硅聚合物的光阻图案；以及借助于所述蚀刻掩模图案来蚀刻所述旋涂碳层，以减少处理步骤及制造成本，由此获得均一的图案构型。 | ||
| 申请公布号 | CN101335198A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810000431.2 | 申请日期 | 2008.01.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李基领;卜喆圭 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);G03F7/09(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括：在旋涂碳层上形成抗反射涂层图案；在所述抗反射涂层图案之间形成光阻图案；以及使用所述抗反射涂层图案及所述光阻图案作为蚀刻掩模来图案化所述旋涂碳层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||