| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置，其包括设置在半导体基板上的栅电极和设置在栅电极两侧上的源/漏区域，该源/漏区域通过注入杂质形成。该源/漏区域包括外延层和扩散层，该外延层通过在栅电极侧部上的凹入位置中外延生长晶格常数不同于半导体基板材料的晶格常数的半导体材料形成，而该扩散层设置在半导体基板的表面层中。 | ||
| 申请公布号 | CN101335299A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810131752.6 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 松本拓治 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包括：栅电极，设置在半导体基板上；和源/漏区域，设置在所述栅电极的两侧，所述源/漏区域通过注入杂质形成，其中所述源/漏区域包括：外延层，通过在所述栅电极的侧部的凹入位置中外延生长晶格常数不同于所述半导体基板材料的晶格常数的半导体材料而形成；和扩散层，设置在所述半导体基板的表面层中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||