| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：第二导电半导体衬底；在半导体衬底上的栅电极；在栅电极的相对的两侧形成的第一导电漂移区；在第一导电漂移区中形成的源区或者漏区；以及形成在栅电极与漏区之间的漂移区中的STI区。位于STI区的下部处的漂移区具有杂质浓度在向下的方向上减少、然后增加并且再次减少的掺杂分布。本发明能够改进击穿电压特性，防止碰撞电离。 | ||
| 申请公布号 | CN101335298A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810129324.X | 申请日期 | 2008.06.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金知泓;张德基;张炳琸;朴盛羲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第二导电半导体衬底；栅电极，位于所述半导体衬底上；第一导电漂移区，形成在所述栅电极的相对的两侧处；源区或者漏区，形成在所述第一导电漂移区中；以及STI区，形成在所述栅电极与所述漏区之间的所述漂移区中，其中位于所述STI区的下部处的所述漂移区具有杂质浓度在向下的方向上减少、然后增加并且再次减少的掺杂分布。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||