| 发明名称 | 在半导体装置中制造图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在半导体装置中制造图案的方法，其包括下列步骤：形成第一牺牲层图案于图案目标层上方；形成第一间隔物于这些第一牺牲层图案的侧壁；形成一第二牺牲层图案于这些第一牺牲层图案及这些第一间隔物上方，使得使该第二牺牲层图案暴露这些第一间隔物的至少之一；通过在该暴露第一间隔物上形成第二间隔物以形成双间隔物；移除该第二牺牲层图案及这些第一牺牲层图案；以及通过使用这些第一间隔物及该双间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻该图案目标层的暴露部分以形成具有由这些第一间隔物所界定的第一节距的第一图案及具有由该双间隔物所界定的第二节距的第二图案。根据本发明，可以在半导体装置中制造具有不同节距的图案的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101335185A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810098532.8 | 申请日期 | 2008.05.22 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 尹炯舜 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/033(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中制造图案的方法，包括：形成具有侧壁的第一牺牲层图案于图案目标层上方；形成第一间隔物于这些第一牺牲层图案的侧壁；形成第二牺牲层图案于这些第一牺牲层图案及这些第一间隔物上方，其中该第二牺牲层图案暴露这些第一间隔物的至少之一；通过在暴露的第一间隔物上形成第二间隔物以形成双间隔物；移除该第二牺牲层图案及这些第一牺牲层图案；以及通过使用这些第一间隔物及该双间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻该图案目标层的暴露部分以形成具有由这些第一间隔物所界定的第一节距的第一图案及具有由该双间隔物所界定的第二节距的第二图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||