制造CMOS图像传感器中的隔离层的方法

摘要

一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，将氧和P-型离子注入到装置隔离区中而没有蚀刻损坏并执行加热工艺以在半导体基片中形成装置隔离层。离子注入掩模层被形成，其暴露低浓度的第一传导类型半导体基片上的装置隔离区。使用掩模层氧离子被注入到半导体基片中。执行加热工艺以在装置隔离区中形成氧化物层。栅绝缘层形成于半导体基片上而栅电极形成于栅绝缘层上。低浓度的第二传导类型扩散区形成于光电二极管区中。高浓度的第二传导类型扩散区形成于半导体基片中栅电极的两侧。具有高于半导体基片浓度的浓度的第一传导类型扩散区形成于半导体基片中低浓度的第二传导类型扩散区上。

主权项

1.一种制造CMOS图像传感器中隔离层的方法，包括：在半导体基片上形成垫氧化物层；在所述垫氧化物层上形成离子注入掩模层，所述离子注入掩模层暴露装置隔离区；使用所述掩模层顺序地将氧离子、然后将杂质注入到所述半导体基片中；以及执行加热工艺，以在所述装置隔离区中形成氧化物层以及包围该氧化物层的隔离层扩散区，其中所述隔离层扩散区是通过所述杂质的扩散而形成的。