发明名称 半导体组件的球栅阵列金属球制造方法
摘要 本发明半导体组件的球栅阵列金属球制造方法,其包括下列步骤:提供一半导体组件,其设有多个电极;提供一治具于该半导体组件上,该治具位于该多个电极位置形成有透孔;以网印方式将锡膏涂布于该治具上,使锡膏落入该透孔内,并以刮刀自治具14表面刮除露出的锡膏18;及将半导体组件经过回焊炉,使锡膏熔融,冷却后即于该半导体组件上形成球栅阵列金属球。
申请公布号 CN100447954C 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN200510118602.8 申请日期 2005.10.31
申请人 胜开科技股份有限公司 发明人 张鸿租;白忠巧;龙港文;林仕祥;龙昌宏
分类号 H01L21/28(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1.一种半导体组件的球栅阵列金属球制造方法,其特征在于,包括下列步骤:提供一半导体组件,其设有多个电极;提供一治具于该半导体组件上,该治具位于该多个电极位置形成有透孔;以网印方式将锡膏涂布于该治具上,使锡膏落入该透孔内,并以刮刀自治具表面刮除露出的锡膏;取出治具;将半导体组件经过回焊炉,使锡膏熔融,冷却后即于该半导体组件上形成球栅阵列金属球。
地址 台湾省新竹县
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