USE OF A PRECURSOR OF AN N-DOPANT FOR DOPING AN ORGANIC SEMICONDUCTIVE MATERIAL, PRECURSOR AND ELECTRONIC OR OPTOELECTRONIC COMPONENT

摘要

Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, als Blockerschicht, als Ladungsinjektionsschicht, als Elektrodenmaterial, als Speichermaterial oder als Halbleitermaterial selbst in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, wobei der Precursor ausgewählt wird aus den folgenden Formeln (1-3c).