高密度存储器读出放大器

摘要

提供一种读取电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RW中数据的读出放大器38，包括具有第一和第二输入节点74，75的差分放大器Q5，Q6。读出电路A1，Q1，Q2利用施加其上的读电压VR确定存储器单元RW中的电流，并将代表存储器单元RW电流的检测电流施加到差分放大器的第一输入节点74。参考电路A2，Q3，Q4具有第一和第二电阻元件RH，RL，用于将参考电流施加到差分放大器的第二输入节点75，提供与读出电流作比较的对照参考值，以确定存储器单元RW的状态。第一电阻元件RH具有代表存储器单元RW第一状态的电阻，第二电阻元件RL具有代表存储器单元RW第二状态的电阻。参考电路A2，Q3，Q4提供参考电流，它是通过第一和第二电阻元件RH，RL电流的平均。比较器电器76将差分放大器第一和第二输入节点74，75上的信号作比较以提供表明被读出存储器单元RW状态的输出VO。

主权项

1.一种用于对施加在被读出存储器单元RM两端的读电压作出响应，读出电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RM中的数据的读出放大器38，包括：(a)具有第一和第二输入节点74，75的差分放大器Q5，Q6；(b)读出电路A1，Q1，Q2，用于利用施加其上的读电压确定存储器单元中的电流，和将代表存储器单元电流的读出电流施加到差分放大器Q5，Q6的第一输入节点74；和(c)具有第一和第二电阻元件RH，RL的参考电路A2，Q3，Q4，用于将平均参考电流施加到差分放大器Q5，Q6的第二输入节点75，参考电流提供与读出电流比较对照的值，用以确定存储器单元RM的状态，其中，所述第一电阻元件RH具有代表存储单元RW第一状态的第一电阻，而第二电阻元件RL具有代表存储单元RW第二状态的第二电阻，以及所述参考电路A2，Q3，Q4是用于产生作为通过第一和第二电阻元件RH，RL的电流平均的参考电流的平均电路，并且该平均电路包括平均元件A2，Q3，Q4，用于将通过第一和第二电阻元件RH，RL的电流相加，提供相加电流，并将相加电流分成一半以获得平均电流。