一种网格状静电放电防护器件

摘要

本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在P型衬底上的P阱内设置有多个平面阵列排列的N+注入区，沿每个N+注入区的四面侧壁设置有方环型的浅壕沟隔离STI。P阱上方设置有网格状多晶硅层，网格内壁与浅壕沟隔离STI的外壁位置对应。多晶硅层的网格节点位置为P型多晶硅区或N型多晶硅区，每个P型多晶硅区与N型多晶硅区在各个方向上间隔设置。多晶硅层与P型衬底之间设有SiO₂氧化层。本发明有效增加了静电电流泄放通道的有效面积，同时通过改变本征多晶硅的长度可以调整触发点的电压值。

主权项

1、一种网格状静电放电防护器件，包括P型衬底，其特征在于P型衬底上设有P阱，P阱内的顶部设置有多个N+注入区；N+注入区为立方体型，多个N+注入区为平面阵列排列；P阱内沿每个N+注入区的四面侧壁设置有方环型的浅沟槽隔离STI，方环型的浅沟槽隔离STI的内壁与N+注入区相连；P阱上方设置有网格状多晶硅层，多晶硅层的网格内壁与方环型的浅沟槽隔离STI的外壁位置对应；多晶硅层的网格节点位置分别掺入P型杂质或N型杂质，成为P型多晶硅区或N型多晶硅区，每个P型多晶硅区与N型多晶硅区在各个方向上交替设置，相邻节点之间为本征多晶硅区；多晶硅层与P型衬底之间设有SiO2氧化层。