| 发明名称 | 于二位EEPROM装置制造ONO浮动栅极的高温氧化物沉淀方法 | ||
| 摘要 | 一种于二位EEPROM装置(10)制造ONO浮动栅极电极(26)的方法，包括使用高温氧化物(HTO)沉积处理形成顶氧化物层(32)，其中HTO处理是在700至约800℃温度利用LPCVD或RTCVD沉积处理器进行。该方法进一步包括使用原位LPCVD或RTCVD沉积处理循序形成一层氮化硅层(30)及一层顶氧化物层(32)，其中于形成顶氧化物层(32)之前，氮化硅层(30)未暴露于周围气氛。使用HTO沉积处理形成顶氧化物层(32)，经由减少ONO浮动栅极电极(26)的电荷泄漏而提供改进的二位EEPROM内存装置(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN100447953C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN00814074.X | 申请日期 | 2000.10.16 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | 阿维得·哈利亚;罗伯特·B·欧格;小森秀树;K·欧 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/792(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种于一个二位EEPROM装置制造一种ONO浮动栅极电极的方法，包含下列步骤：提供一单晶硅半导体基片(16)；热氧化所述单晶硅半导体基片(16)，以在所述单晶硅半导体基片(16)上形成一层第一氧化硅层(28)；形成一层氮化硅层(30)覆于第一氧化硅层(28)上；以及使用低压化学气相沉积的高温氧化物沉积方法沉积一层第二氧化硅层(32)于氮化硅层(30)上以在氮化硅层(30)中形成至少两个电荷局限区；其特征在于：所述氮化硅层(30)的形成，是通过1每分钟标准升氨气以及30至50每分钟标准立方厘米的选自硅烷及二氯硅烷组成的组群的第二气体使用快速热化学气相沉积进行；以及其中低压化学气相沉积的高温氧化物沉积方法是在700至800℃的温度进行并且使用0.5至2slpm氧化亚氮以及10至50sccm所述第二气体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||