提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构

摘要

本发明公开了一种提高氮化镓基LED抗静电能力的方法，其通过在原有的氮化镓基LED结构的n－GaN层中插入一未掺杂的氮化镓层，或在n－GaN层和多层量子井的势垒层间加一未掺杂的氮化镓层，使在原有的氮化镓基LED结构中增加一电容，从而提高了该氮化镓基LED的抗静电能力。本发明还公开了根据上述方法制备的氮化镓基LED结构，其抗静电能力得到提高。本发明可以广泛用于半导体LED的制备中。

主权项

1、一种提高氮化镓基LED抗静电能力的方法，该氮化镓基LED结构为，在衬底上依次淀积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多层量子井、p型导电氮化铝镓层、p型导电氮化镓层、接触层和其上的p电极，以及n型导电氮化镓层上的n电极，其特征在于：在所述n型导电氮化镓层淀积完成后，接着淀积一第二层未掺杂氮化镓层，再淀积一第二层n型导电氮化镓层。