| 发明名称 | 用于半导体器件的掩模的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制备用于半导体器件的掩模方法，包括检测半导体中用于掩模的布局数据，以及纠正布局数据中违反该设计规则的任何误差，填充布局数据中的小凹入部分，在凹入部分－填充布局数据中实施光学邻近校正，以及利用受到光学邻近校正处理的凹入部分－填充布局数据来产生掩模图案。通过这个工艺，可以通过受到光学邻近校正处理来简化布局数据库并且使得可引起不必要的光学邻近校正(OPC)问题的任何误差最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN101334586A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810126235.X | 申请日期 | 2008.06.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金英美 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F1/00(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种制备用于半导体器件的掩模的方法，所述方法包括：检测违反设计规则的用于所述掩模的布局数据，以及纠正所述违反设计规则的所述布局数据中的一个或多个误差；填充所述布局数据中的小凹入部位；在所述凹入部分-填充布局数据中实施光学邻近校正；以及利用受到光学邻近校正处理的所述凹入部分-填充布局数据生成掩模图案。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||