发明名称 |
一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺 |
摘要 |
本发明属于光电材料新能源技术领域,特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu<SUB>2</SUB>Se粉末和In<SUB>2</SUB>Se<SUB>3</SUB>粉末,混合后在行星式球磨机中球磨,而后冷压成型,制得Cu<SUB>2</SUB>Se和In<SUB>2</SUB>Se<SUB>3</SUB>混合材料素坯,将此素坯置于密闭的真空烧结炉中,在H<SUB>2</SUB>保护气氛中,烧结,冷却后脱模,即得到铜铟硒靶材。所制得的靶材具有均一的铜铟硒相,相对密度达到95%以上。本发明具有工艺简便,效率高,成本低,稳定性好等优点,为制备铜铟硒吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。 |
申请公布号 |
CN101333645A |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
申请号 |
CN200810116717.7 |
申请日期 |
2008.07.16 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
张弓;庄大明;元金石;李春雷;张宁;宋军 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01);C23C14/06(2006.01);B22F3/16(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01) |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张文宝 |
主权项 |
1.一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺,其特征在于:该工艺的具体步骤为:(一)制备硒化亚铜Cu2Se和硒化铟In2Se3粉末的过程:(1)按质量比1∶1~1.6∶1称取Cu粉和Se粉,混合后装入石墨坩埚,置于真空炉中,在350℃~450℃进行固相反应,反应时间为0.5~2h,即可得到Cu2Se粉末;或按质量比1∶1~1.6∶1称取Cu粉和Se粉,混合后装入石墨坩埚,置于充入1atm市购高纯N2的密闭炉中,在350℃~450℃进行固相反应,反应时间为0.5~2h,即可得到Cu2Se粉末。(2)按质量比1∶2~1∶3称取In粉和Se粉,混合后装入石墨坩埚,置于真空炉中,在300℃~400℃进行固相反应,反应时间为0.5~4h,即可得到In2Se3粉末;或按质量比1∶1~1∶3称取In粉和Se粉,混合后装入石墨坩埚,置于充入1atm市购高纯N2的密闭炉中,在300℃~400℃进行固相反应,反应时间为0.5~4h,即可得到In2Se3粉末。(二)压制Cu2Se和In2Se3混合材料素坯的过程:将上述或市售的Cu2Se和In2Se3粉末按质量比1∶2.25~1∶3配料,混合料装入尼龙球磨罐中,在行星式球磨机中球磨2~12h;将球磨后的粉料均匀填充于模具中,经200~600MPa的压力冷压1~3min成型。(三)烧结铜铟硒靶材的过程:将成型素坯置于密闭的真空烧结炉中,在1atm的H2保护气氛中,于650~850℃下烧结0.5~12h,随炉冷却至常温后脱模,得到铜铟硒靶材。 |
地址 |
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