化合物半导体的活性化方法及装置

摘要

将化合物半导体放入到反应容器(12)内；用在化合物半导体熔点下的平衡蒸气压为1大气压以下的低蒸气压气体(2)对反应容器内进行置换；一边将反应容器内保持在前述平衡蒸气压以上的压力，一边使低蒸气压气体沿着化合物半导体表面流过；对化合物半导体表面照射光子能量大于前述化合物半导体带隙的脉冲激光(3)。由此，一边将低蒸气压气体的气氛温度保持在室温或分解温度以下，一边仅对脉冲激光照射位置的化合物半导体进行瞬间加热并使其熔融。

主权项

1.化合物半导体的活性化方法，其特征在于，通过以下步骤：将化合物半导体放入到反应容器内；用在前述化合物半导体熔点下的平衡蒸气压为1大气压以下的低蒸气压气体对前述反应容器内进行置换；一边将前述反应容器内保持在前述平衡蒸气压以上的压力，一边使前述低蒸气压气体沿着化合物半导体表面流过；进而对化合物半导体表面照射光子能量大于前述化合物半导体带隙的脉冲激光，从而一边将前述低蒸气压气体的气氛温度保持在室温或分解温度以下，一边仅使脉冲激光照射位置的化合物半导体熔融。