| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101335274A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810145972.4 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾;本田达也;曾根宽人 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L29/24(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李娜;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种有源矩阵液晶显示装置，包括：衬底之上的栅电极；栅电极之上的绝缘膜；栅电极之上的氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在栅电极和氧化物半导体膜之间；沟道保护膜，形成于氧化物半导体膜之上，源电极和漏电极，形成于氧化物半导体膜和沟道保护膜之上；钝化膜，包括至少形成于源电极、漏电极、沟道保护膜和氧化物半导体膜之上的绝缘材料，像素电极，形成于钝化膜之上，并且电连接到源电极和漏电极中的一个。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||