发明名称 |
微波等离子体处理方法 |
摘要 |
本发明提供一种能够在处理对象的表面形成均匀的薄膜层,而且能够在短时间内进行处理的微波等离子体处理方法。所述方法是通过将微波引入等离子体处理室(1),使处理用的气体等离子体化,在配置于所述等离子体处理室(1)内的具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)上形成薄膜层的微波等离子体处理方法,该方法将所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体(13)固定于与所述等离子体处理室(1)的中心轴相同的轴上,所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的开口部(131)到主体部(133)为止采用TE模式或TEM模式,所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的底部(132)采用TE模式与TM模式共存的模式。 |
申请公布号 |
CN100447297C |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
申请号 |
CN200480010016.5 |
申请日期 |
2004.04.12 |
申请人 |
东洋制罐株式会社 |
发明人 |
仓岛秀夫;小林亮;山田幸司;并木恒久 |
分类号 |
C23C16/511(2006.01);B01J19/08(2006.01);B65D23/02(2006.01);H05H1/46(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/511(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种微波等离子体处理方法,是通过将微波引入等离子体处理室,使处理用的气体等离子体化,在配置于所述等离子体处理室内的具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体上形成薄膜层的方法,其特征在于,将所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体固定于与所述等离子体处理室的中心轴相同的轴上,所述等离子体处理室内的微波的驻波模式在从所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的开口部到主体部为止采用TE模式或TEM模式,所述具有瓶子形状、容器形状或管状形状的基体的底部采用TE模式与TM模式共存的模式。 |
地址 |
日本东京都 |