非易失存储器的具有最佳数据保留的擦除方法及器件

摘要

本发明提供一种非易失性存储器件及相关方法，特别是一种最佳化设计之非易失性存储器件及方法以有利地防止其俘获层之数据流失。根据本发明用于操作一非易失性存储单元之方法的较佳实施例有利地包含以下步骤：编程该存储单元、从一半导体基片注入电子至该存储单元之一俘获层中、擦除该存储单元、释放该存储单元，以及重复该擦除和释放步骤直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。对于释放步骤而言，电子可从该俘获层被释放至该存储单元之一沟道中，或是释放至该存储单元之一栅极中。根据本发明之方法更可包含验证该俘获层之状态(高或低)的步骤，以及如果该俘获层之状态未被验证，则重复该擦除和释放步骤的步骤。

主权项

1.一种操作一非易失性存储单元的方法，该方法包括以下步骤：(a)编程该存储单元；(b)经由注入电子至该存储单元之一俘获层中擦除该存储单元；(c)对该存储单元进行一释放步骤，以拔出存于浅陷阱之电荷；以及(d)重复步骤(b)和(c)直到该存储单元之一阈值电压达到一预定值为止。