发明名称 用于最小化等离子体处理室内的电弧的装置和方法
摘要 本发明披露了一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有在基片处理过程中面向等离子体处理室内的等离子体的面向等离子体的表面的面向等离子体元件。该面向等离子体元件与接地端子电绝缘。该等离子体处理室还包括连接到面向等离子体元件的接地装置,该接地装置包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的第一电流通路内的第一电阻电路。该接地装置还包括设置在面向等离子体元件和接地端子之间的至少其它一个电流通路内的RF滤波器装置,其中,选择第一电阻电路的阻抗值,以基本上消除在基片处理过程中等离子体和面向等离子体元件之间的电弧。
申请公布号 CN100447935C 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN03810377.X 申请日期 2003.05.01
申请人 朗姆研究公司 发明人 阿瑟·M·霍瓦尔德;安德拉斯·库蒂;安德鲁三世·D·贝利;布彻·伯尼
分类号 H01J37/32(2006.01) 主分类号 H01J37/32(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚
主权项 1.一种用于处理基片以在其上形成电子元件的等离子体处理室,包括:面向等离子体元件,具有面向等离子体表面,所述面向等离子体表面在处理所述基片期间面向所述等离子体处理室内的等离子体,所述面向等离子体元件与接地端子电绝缘;以及接地装置,连接至所述面向等离子体元件,所述接地装置包括第一电阻电路,设置在所述面向等离子体元件和所述接地端子之间的第一电流通路中,所述接地装置还包括RF滤波器装置,设置在所述面向等离子体元件和所述接地端子之间的至少一个其它电流通路中,其中,所述第一电阻电路的阻值在1kΩ至100MΩ之间选择,以减少在处理所述基片期间所述等离子体和所述面向等离子体元件之间的电弧。
地址 美国加利福尼亚州