| 发明名称 | 调整导体表面功函数的方法与有机发光元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种调整导体表面功函数的方法与有机发光元件及其制作方法。提供一个导体层，其表面具有功函数。然后，对导体层进行采用混合气体的等离子体工艺，其中混合气体包括第一反应性气体和第二反应性气体，第一反应性气体的等离子体处理会使该功函数减少，第二反应性气体的等离子体处理会使该功函数增加。上述等离子体工艺是通过控制该混合气体中的第一反应性气体与第二反应性气体的流量比例，从而调整该功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN100448057C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200510004470.6 | 申请日期 | 2005.01.12 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 刘醕炘 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01);H05B33/10(2006.01);H05B33/22(2006.01);H05B33/20(2006.01);H05B33/12(2006.01);H05B33/08(2006.01) | 主分类号 | H01L51/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种调整导体表面功函数的方法，包括下列步骤：提供一个导体层，其表面具有第一功函数；对该导体层进行采用混合气体的等离子体工艺，其中该混合气体包括第一反应性气体和第二反应性气体，该第一反应性气体的等离子体处理会使该第一功函数减少，该第二反应性气体的等离子体处理会使该第一功函数增加；以及通过控制该混合气体中的该第一反应性气体与该第二反应性气体的流量比例，从而调整该第一功函数。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||