| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN100448030C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200510073455.7 | 申请日期 | 2005.05.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 曽谷直哉;长谷川勋;井手大辅 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02F1/136(2006.01);G09G3/38(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有基板，和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件，构成所述多个半导体元件的所述半导体层具有双晶面，并且所述双晶面按照沿流过所述沟道区域的载流子不容易横切所述双晶面的第二方向延伸那样形成，所述半导体层包含多晶硅膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||