埋入式字线的结构

摘要

本发明公开一种埋入式字线的结构，其包括具有U形槽的半导体基底，U形栅极介电层于U形槽中、位于U形栅极介电层上的多晶硅层、位于多晶硅层之上的导电层、覆盖于导电层上的介电盖层、以及一对内部侧壁子，分别位于多晶硅层上方，并介于半导体基底与导电层之间。此种埋入式字线的结构具有小的尺寸，藉以形成凹入式沟道时，可增进半导体元件的集成度，而不致产生短沟道效应。

主权项

1.一种埋入式字线的结构，包括：半导体基底，包含U形槽于该半导体基底中；U形栅极介电层，位于该半导体基底的该U形槽的下部中；多晶硅层，位于该U形槽内及该U形栅极介电层之上；导电层，位于该多晶硅层的上方及该半导体基底的该U形槽的上部中；介电盖层，覆盖于该导电层；及一对内部侧壁子，分别位于该多晶硅层上方，并介于该半导体基底与该导电层之间。