发光二极管的器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的器件结构，由下到上依次包括如下各层：蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和接触层，所述多量子阱层由多组垒层和阱层交替间隔组成，在所述垒层中，由下到上依次包括第一未掺杂的GaN层、第一掺杂SiH₄的GaN层、第二未掺杂的GaN层、第二掺杂SiH₄的GaN层和第三未掺杂的GaN层。本发明还公开了上述发光二极管的器件结构的制作方法，包括依次生长上述垒层中掺杂SiH₄和不掺杂SiH₄的GaN层组成的交替结构。本发明提升了所述多量子阱中内部量子的效率，增加了发光强度，并且降低了发光二极管的操作电压，从而提高了发光二极管的出光效率。

主权项

1.一种发光二极管的器件结构，由下到上依次包括如下各层：蓝宝石衬底、缓冲成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层和接触层，所述接触层上连接有P型电极，所述N型GaN层上连接有N型电极，所述多量子阱层由多组垒层和阱层交替间隔组成，其特征在于，在所述垒层中，由下到上依次包括第一未掺杂的GaN层、第一掺杂SiH4的GaN层、第二未掺杂的GaN层、第二掺杂SiH4的GaN层和第三未掺杂的GaN层。