| 发明名称 | 具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室 | ||
| 摘要 | 一种具有解耦等离子体控制的混合蚀刻室和用于改善对等离子体参数的控制的方法。该等离子体室包括向等离子体电容耦合RF能量的双频偏压源和向等离子体电感耦合RF能量的单频或双频源。可以调制该电感源以改善蚀刻的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101335193A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810130616.5 | 申请日期 | 2008.06.25 |
| 申请人 | 因特瓦克公司 | 发明人 | J·G·扬;M·巴恩斯;T·布卢克 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01);H05H1/46(2006.01);H05H1/02(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 1、一种用于蚀刻其上具有电介质层的衬底的蚀刻等离子体处理室，包括：a)反应器容器，其包括不导电侧壁、顶部和底部闭合部，所述底部闭合部包括晶片支撑装置，所述顶部和所述晶片支撑装置界定平行板反应器；b)第一RF电源，在足以启动和维持工艺气体等离子体的频率ωpd下向所述支撑装置提供RF能量；c)第二RF电源，在足以控制所述等离子体中产生的离子的运动特性的频率ωion下向所述支撑装置提供RF能量，其中ωion＜ωpd；d)位于所述反应器容器的不导电侧壁周围的电感线圈；以及e)第三RF电源，向所述电感线圈提供RF能量以将所述第三RF电源电感耦合到所述等离子体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||