发明名称 |
小面积丝网印刷金属接点结构及方法 |
摘要 |
一种太阳能电池,包括相反地掺杂的半导体材料的相邻区域,所述区域形成了基本上平行于太阳能电池的前后表面的pn结。半导体材料的表面具有多个凹陷,其中形成凹陷的内壁表面区域的半导体材料区域被掺杂成该结的半导体区域中的一个的极性,它们处于电连通。凹陷的壁表面区域与另一个相反地掺杂的区域隔离,并且形成了用于接点结构的接点,所述接点结构接触形成凹陷的表面。在表面之上形成介电层,该介电层在每一个凹陷的至少一部分中较薄或不存在,以使得在烧结之后,形成在介电层之上并延伸到凹陷内的丝网印刷金属接点结构与凹陷中的半导体材料接触。 |
申请公布号 |
CN101336465A |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
申请号 |
CN200680051717.2 |
申请日期 |
2006.10.26 |
申请人 |
新南创新私人有限公司;尚德太阳能电力有限公司 |
发明人 |
斯图尔特·罗斯·韦纳姆;施正荣;利·梅;季静佳 |
分类号 |
H01L21/04(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L29/41(2006.01);H01L31/0216(2006.01);H01L31/0352(2006.01);H01L31/042(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/04(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
杨娟奕 |
主权项 |
1.一种太阳能电池,包括:i)相反地掺杂的半导体材料的相邻区域,形成了基本上平行于太阳能电池的前后表面的pn结;ii)具有多个凹陷的半导体材料的表面,其中形成凹陷的内壁表面区域的半导体材料区域被掺杂成该结的一个半导体区域的极性,所述形成凹陷的内壁表面区域的半导体材料区域与所述一个半导体区域电连通,且所述壁表面区域与该结的另一个相反地掺杂的区域隔离;iii)形成在电池的半导体材料的表面之上的介电层,所述介电层在每一个凹陷的至少一部分中较薄或不存在;以及iv)丝网印刷金属接点结构,形成在介电层之上并延伸到凹陷内,从而金属结构与凹陷中的半导体材料形成接触。 |
地址 |
澳大利亚新南威尔士 |