| 发明名称 | 在低热导率材料上沉积氮化钽扩散阻挡区域的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE-ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl<SUB>5</SUB>)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。 | ||
| 申请公布号 | CN100447955C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200580018051.6 | 申请日期 | 2005.05.31 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 德伦·N·邓恩;金亨俊;斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔;徐顺天 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上形成氮化钽扩散阻挡区域的方法，该方法包括步骤：在腔中通过进行第一数量的第一循环在低k材料衬底(102)上形成保护层(104)，每个第一循环包括：将该衬底暴露于钽基前体，将该腔抽真空，从该钽基前体和氮等离子体进行等离子体增强原子层沉积，以及将该腔抽真空；以及在该腔中通过进行第二数量的第二循环形成随后的基本化学计量的氮化钽扩散阻挡层(108)，每个第二循环包括：将该衬底暴露于钽基前体，将该腔抽真空，从该钽基前体以及氢和氮的等离子体进行等离子体增强原子层沉积，以及将该腔抽真空。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||