| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件(10)的方法，该方法通过将密封部件(13)粘接到其上安装有半导体元件(11)的基片(12)上，包括如下步骤：在密封部件(13)中形成开口(25)；以及在将密封部件(13)粘接到基片(12)上之后封闭开口(25)。 | ||
| 申请公布号 | CN100447967C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200410061773.7 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 新光电气工业株式会社 | 发明人 | 白石哲;风间洋一 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L27/14(2006.01);H01L31/00(2006.01);H04N5/225(2006.01);G03B17/02(2006.01);G03B19/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其中通过将密封部件粘接到其上安装有半导体元件的基片上而密封所述半导体器件，所述制造方法的特征在于包括下述步骤：在密封部件中形成开口；以及在其中形成有开口的密封部件被粘接到基片上之后封闭开口，从而密封半导体器件，其中所述封闭开口的步骤是通过使用处于软化状态的粘合剂填充开口并使该粘合剂固化进行的，所述粘合剂是紫外线固化型粘合剂或瞬时粘合剂。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||