| 发明名称 | 相变存储器 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；所述各存储单元包括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管连接。本发明的相变存储器采用1DnR存储单元结构，从而减少了选通二极管占用的芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101335046A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810041414.3 | 申请日期 | 2008.08.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01);G11C16/08(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；其特征在于：所述各存储单元包括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管连接。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||