发明名称 一种液晶显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构,包括一基板,还包括一第一金属层,包括形成在所述的基板之上的栅电极扫描线、栅电极;一栅电极绝缘层,形成在所述的栅电极扫描线和栅电极之上;一有源层,形成在所述栅电极绝缘层之上;一第二金属层,包括形成在栅绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线,其中源电极和漏电极部分搭载于所述有源层之上;一钝化层,形成在数据线、源电极、漏电极和公共电极线上,并在漏电极上形成接触孔;一像素电极,形成在钝化层上,并通过所述漏电极上的接触孔与漏电极相连接。本发明还提供了一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法。把公共电极线由原先与栅极扫描线平行改进为与数据线平行布线,减小了显示区域内每一根公共电极线的长度,降低了每一根公共电极线的电阻。
申请公布号 CN101334564A 申请公布日期 2008.12.31
申请号 CN200710043006.7 申请日期 2007.06.28
申请人 上海广电NEC液晶显示器有限公司 发明人 马群刚
分类号 G02F1/1362(2006.01);H01L27/12(2006.01) 主分类号 G02F1/1362(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 薛琦
主权项 1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构,包括一基板,其特征在于,还包括:一第一金属层,包括形成在所述的基板之上的栅电极扫描线、栅电极;一栅电极绝缘层,形成在所述的栅电极扫描线和栅电极之上;一有源层,形成在所述栅电极绝缘层之上;一第二金属层,包括形成在栅绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线,其中源电极和漏电极部分搭载于所述有源层之上;一钝化层,形成在数据线、源电极、漏电极和公共电极线上,并在漏电极上形成接触孔;一像素电极,形成在钝化层上,并通过所述漏电极上的接触孔与漏电极相连接。
地址 201108上海市闵行区华宁路3388号