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发明名称
METHOD FOR FORMING TRENCH MOSFET DEVICE WITH LOW PARASITIC RESISTANCE
摘要
申请公布号
EP1454352(A4)
申请公布日期
2008.12.31
申请号
EP20020792284
申请日期
2002.11.20
申请人
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC.
发明人
HSHIEH, FWU-IUAN;SO, KOON, CHONG;AMATO, JOHN, E.;PRATT, BRIAN, D.
分类号
H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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