| 发明名称 | 耗尽型NMOS管稳定电压源电路 | ||
| 摘要 | 一种耗尽型NMOS管稳定电压源电路，电路中含有增强型NMOS管及耗尽型NMOS管，其特征是电路中还设有用来产生与增强型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第一负温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第二负温度系数电压产生电路以及将第一、第二负温度系数电压产生电路产生的两个具有负温度系数的电压值相减，获得低温漂稳定电压源。 | ||
| 申请公布号 | CN101334681A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810124373.4 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 夏晓娟;谢亮;孙伟锋;陆生礼;宋慧滨;时龙兴 |
| 分类号 | G05F3/24(2006.01) | 主分类号 | G05F3/24(2006.01) |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 奚幼坚 |
| 主权项 | 1、一种耗尽型NMOS管稳定电压源电路，其特征是电路中设有增强型NMOS管及耗尽型NMOS管以及用来产生与增强型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第一负温度系数电压产生电路、用来产生与耗尽型NMOS管阈值电压相关的负温度系数电压的第二负温度系数电压产生电路以及将第一、第二负温度系数电压产生电路产生的两个具有负温度系数的电压值相减，通过稳定电压源产生电路获得低温漂稳定电压源。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||