| 发明名称 | 相变存储器的写入电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变存储器的写入电路，包括一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一存储单元，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一存储单元与一地电平。当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一存储单元时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第一预定时间后导通。 | ||
| 申请公布号 | CN101335045A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200710128067.3 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 江培嘉;许世玄;林烈萩 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 蒲迈文;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种相变存储器的写入电路，包括：一驱动电流产生电路，用以提供一写入电流；一第一开关装置，耦接该驱动电流产生电路；一第一存储单元，耦接该第一开关装置；以及一第二开关装置，耦接该第一存储单元与一地电平，当该驱动电流产生电路输出该写入电流至该第一存储单元时，该第二开关装置在该第一开关装置导通后的一第一预定时间后导通。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||