| 发明名称 | 制造闪速存储器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造闪速存储器件的方法，其防止在形成层间介电薄膜时产生空隙。该方法可以包括在半导体衬底上形成栅极，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜，然后通过进行第一蚀刻过程在所述栅极侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体，然后在该半导体衬底中形成源区和漏区，然后去除该第二介电薄膜，然后在该半导体衬底上顺序地堆叠第三电质薄膜和第四介电薄膜，然后通过进行第二蚀刻过程在栅极侧壁上形成包括第一介质图案和第三介质图案的第二隔离体，然后在包括栅极和第二隔离体的半导体衬底上形成层间介电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101335246A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810127816.5 | 申请日期 | 2008.06.25 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 任贤珠 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在半导体衬底上形成栅极；然后在所述半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜；然后通过进行第一蚀刻过程在所述栅极的侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体；然后在所述半导体衬底中形成源区和漏区；然后除去所述第二介电薄膜；然后在所述半导体衬底上顺序地堆叠第三介电薄膜和第四介电薄膜；然后通过进行第二蚀刻过程在所述栅极的所述侧壁上形成包括第一介电图案和第三介电图案的第二隔离体；然后在包括所述栅极和所述第二隔离体的所述半导体衬底上形成层间介电薄膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||