发明名称 |
光元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种光元件及其制造方法,该光元件包括面发光型半导体激光器,能够高精度加工的面发光型半导体激光器。根据本发明的光元件包括:面发光型半导体激光器(140),其包括在衬底(101)的上方从衬底侧配置的第一反射器(102)、活性层(103)、以及第二反射器(104);光检测元件(120),其包括在面发光型半导体激光器(140)的上方从面发光型半导体激光器(140)侧配置的第一接触层(111)、光吸收层(112)、以及第二接触层(113);并且,在第二反射器(104)和第一接触层(111)之间具有隔离层(20)。 |
申请公布号 |
CN100448124C |
申请公布日期 |
2008.12.31 |
申请号 |
CN200410098795.0 |
申请日期 |
2004.12.14 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
金子刚 |
分类号 |
H01S5/18(2006.01);H01S5/30(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/18(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚 |
主权项 |
1.一种光元件,包括:面发光型半导体激光器,其包括在衬底的上方从所述衬底侧配置的第一反射器、活性层、以及第二反射器;光检测元件,其包括在所述面发光型半导体激光器的上方从所述面发光型半导体激光器侧配置的第一接触层、光吸收层、以及第二接触层;并且,在所述第二反射器和所述第一接触层之间具有隔离层,其中,所述隔离层由AlGaAs层构成,所述第二反射器包括将第二反射器内的AlGaAs层从侧面氧化而得到的电流狭窄层,所述隔离层中的Al成分小于用于形成所述电流狭窄层的AlGaAs层中的Al成分。 |
地址 |
日本东京 |