| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应(4)中，在衬底(30)上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100447962C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200580001225.8 | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 佐野敦;堀井贞义;板谷秀治;浅井优幸 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置制造方法，其特征为，该制造方法具有以下步骤：在衬底上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；在所述膜中导入氮的步骤；通过在所述成膜步骤中形成的膜中硅的浓度控制在所述氮导入步骤中导入膜中的氮的浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||