| 发明名称 | 模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法 | ||
| 摘要 | 一种模式同步半导体激光器装置和模式同步半导体激光器装置的波长控制方法，产生波长可变区的波长宽度充分宽、而且在光通信系统中以可利用程度抑制了频率斩波的光脉冲。该模式同步半导体激光器装置具有：包含MLLD(1)的光脉冲生成部(101)、CW光源(19)、第一光学耦合单元(110)、以及第二光学耦合单元(112)。在MLLD内形成包括光增益区(3)、光调制区(2)和无源波导区(4)的光波导路径(30)。恒定电流从第一电流源(11)通过p侧电极(9)和n侧公用电极(7)注入光增益区中。由电压源(12)将反偏压通过p侧电极(8)和n侧公用电极加在光调制区(2)上。由调制电压源(13)将MLLD具有的共振器旋转频率的自然数倍的频率的调制电压加在光调制区上。 | ||
| 申请公布号 | CN100448123C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200510087908.1 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 荒平慎 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01S5/065(2006.01);H01S5/04(2006.01);H01S5/068(2006.01);H01S3/098(2006.01);H01S3/0941(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1、一种模式同步半导体激光器装置，其特征在于具有：包含形成反转分布的光增益区和具有调制光强度的功能的光调制区，具有把该光增益区和该光调制区串联配置了的光波导路径的模式同步半导体激光器；在可产生光注入同步现象的范围内，产生接近该模式同步半导体激光器的振荡纵模式中的任意一种纵模式波长的波长连续光的波长连续光输出光源；第一光学耦合单元，将该波长连续光输出光源的输出光输入到上述模式同步半导体激光器的上述光波导路径中，包含控制该波长连续光输出光源的输出光的偏振方向、以便在上述模式同步半导体激光器的上述光波导路径内使该波长连续光输出光源的输出光的偏振方向与上述模式同步半导体激光器的振荡光的偏振方向一致的偏振面调整元件；以及将上述模式同步半导体激光器输出的光脉冲输出到外部用的第二光学耦合单元。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||