制造高压半导体器件的工艺

摘要

本发明涉及一种制造高压半导体器件的工艺，其特点是包括以下步骤：一、在衬底材料上生长氧化层，光刻构图形成N阱区域；二、在氧化层上涂光致抗蚀剂层，经光刻构图形成P-区域；三、在硅片上生长氧化层淀积氮化硅，经光刻构图形成场区和P场区域；四、在硅片上生长场氧化层，然后依次分别腐蚀有源区上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化层；五、形成电容区域和栅氧化层步骤，先在硅片上生长预栅氧化层，光刻构图形成结，并再生长一栅氧化层；六、在硅片上淀积多晶硅，并经光刻构图，形成多晶区域；七、在硅片上经光刻构图，分别形成N+区域和P+区域；八、在硅片上光刻构图，形成接触孔区域；九、铝布线和钝化膜形成步骤，用常规的方法布铝条，生长钝化层。

主权项

1.一种制造高压半导体器件的工艺，其特征在于包括以下步骤：第一，N阱形成步骤，在高阻衬底材料(1)上生长氧化层(2)，经光刻构图，形成N阱区域；第二，P-层形成步骤，在氧化层(2)上涂布一光致抗蚀剂层(200)，然后经光刻构图，形成P-区域；第三，场区和P场区域形成步骤，在硅片上生长氧化层淀积氮化硅(6)，经光刻构图，形成场区和P场区域；第四，生长场氧化层和腐蚀步骤，在硅片上生长场氧化层(7)，然后依次分别腐蚀有源区上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化层；第五，形成电容区域和栅氧化层步骤，先在硅片上生长预栅氧化层，经光刻构图，形成结(9)，并再生长一栅氧化层；第六，多晶区域形成步骤，在硅片上淀积多晶硅(10)，并经光刻构图，形成多晶区域；第七，N+，P+区域形成步骤，在硅片上经光刻构图，分别形成N+区域和P+区域；第八，接触孔形成步骤，在硅片上光刻构图，形成接触孔区域；第九，铝布线和钝化膜形成步骤，用常规的方法布铝条，生长钝化层。