| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明更具体地公开一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极以形成第一所得结构，在所述栅极的第一侧壁和第二侧壁形成栅极间隔物，蚀刻邻近所述栅极间隔物的所述衬底的部分以在衬底的源极区/漏极区形成凹陷，形成包含锗的第一外延层以填充所述凹陷，和进行高温氧化工艺以在所述衬底和所述第一外延层之间的界面层上形成包含锗的第二外延层，所述第二外延层具有比所述第一外延SiGe层的锗浓度更高的锗浓度，由此形成第二所得结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101335207A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200810002749.4 | 申请日期 | 2008.01.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金龙水;梁洪善;皮升浩;安台恒 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/165(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极以形成第一所得结构；在所述栅极的第一侧壁和第二侧壁形成栅极间隔物；蚀刻邻近所述栅极间隔物的所述衬底的部分以在所述衬底的源极区/漏极区中形成凹陷；形成包含锗的第一外延层以填充所述凹陷；和进行高温氧化工艺以在所述衬底和所述第一外延层之间的界面层上形成包含锗的第二外延层，所述第二外延层具有比所述第一外延SiGe层的锗浓度高的锗浓度，由此形成第二所得结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||