精确反向带隙电压参考电路及方法

摘要

一种产生反向带隙参考电压VRBG的电路，其包含作为分压器耦合于接地与第一导体(17)之间的第一及第二电阻器(R1、R2)。第一晶体管(Q1)的基极耦合到所述分压器以在所述第一导体与接地之间产生第一电压VBEI(1+1/M)，M是所述第一与第二电阻器的电阻比。第三电阻器(R4)耦合于第二晶体管(Q2)的基极与接地之间以在所述第二导体与接地之间产生第二电压VBE2+VRBGP。第一电路迫使所述第一晶体管的集极电流等于所述第二晶体管的集极电流，且第二电路迫使第一电压VBEI(1+1/M)等于第二电压VBE2+VRBGP。所述第一电路及第二电路中的一者包含经耦合以实现所述迫使的运算放大器(12)。

主权项

1、一种用于产生反向带隙参考电压VRBGP的电路，其包括：(a)第一晶体管及第二晶体管，所述第二晶体管的射极区域大致大于所述第一晶体管的射极区域；(b)第一及第二电阻器，其串联耦合于参考电压导体与第一导体之间，所述第一晶体管的基极耦合到所述第一与第二电阻器之间的结，以用于在所述第一导体与所述参考电压导体之间产生第一电压VBE1(1+1/M)，其中VBE1是所述第一晶体管的基极-射极电压且M是所述第一与第二电阻器的电阻比；(c)第三电阻器，跨越其产生所述反向带隙参考电压VRBGP，所述第三电阻器耦合于所述第二晶体管的基极与所述参考电压导体及第二导体之间，以用于在所述第二导体与所述参考电压导体之间产生第二电压VBE2+VRBGP，其中VBE2是所述第二晶体管的基极-射极电压；(d)第一电路，其经耦合以实现迫使所述第一晶体管的集极电流等于所述第二晶体管的集极电流；及(e)第二电路，其经耦合以实现迫使所述第一电压VBE1(1+1/M)等于所述第二电压VBE2+VRBGP。