氮化物半导体外延层的生长方法

摘要

本发明涉及一种生长氮化物半导体外延层的方法，该方法包括以下步骤：在第一温度下，在第一氮化物半导体外延层上生长第二氮化物半导体外延层；在第二温度下，在第二氮化物半导体外延层上生长第三氮化物半导体外延层；通过将温度升高至比第二温度高的第三温度，以便从第二氮化物半导体外延层中释放出氮，从而可以降低外延层的缺陷密度并减少基片的翘曲。

主权项

1.一种氮化物半导体外延层的生长方法，所述方法包括：第一步骤，在第一温度下在第一氮化物半导体外延层上生长第二氮化物半导体外延层；第二步骤，在第二温度下在第二氮化物半导体外延层上生长第三氮化物半导体外延层；和第三步骤，通过将第一、第二和第三氮化物半导体外延层的温度全部升高至比第二温度高的第三温度，以便从第二氮化物半导体外延层中释放出氮，其中，所述第一和第三氮化物半导体外延层由以下材料制成，这种材料中氮的平衡蒸汽压比第二氮化物半导体外延层的氮的平衡蒸汽压低。