| 发明名称 | 具有U字型栅极结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种双栅极半导体器件(100)包括有衬底(110)、绝缘层(120)、鳍(210)以与栅极(510)。该绝缘层(120)形成在该衬底(110)上，而该栅极(510)形成在该绝缘层(120)上。该鳍(210)具有多个侧表面、一顶面、以及一底面。该栅极(510)围绕着鳍(210)的底面以及至少部分的侧表面。围绕该鳍(210)的栅极材料(510)在该半导体器件(100)的沟道区域具有U型剖面。 | ||
| 申请公布号 | CN100448023C | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200380101954.1 | 申请日期 | 2003.10.14 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | B·于;S·S·艾哈迈德;J·X·安;S·达克希纳－默西;Z·克里沃卡皮奇;汪海宏 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/417(2006.01) | 主分类号 | H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件(100)，包括：衬底(110)；形成在该衬底(110)上的绝缘层(120)；形成在该绝缘层(120)上的栅极(510)，该栅极(510)在该半导体器件(100)的沟道区域具有U型剖面；具有多个侧表面、一顶面以及一底面的鳍(210)，其中在该半导体器件(100)的该沟道区域中该栅极(510)围绕该底面以及侧表面的整个高度；形成在该鳍(210)的该顶面上的电介质层(140)；以及形成在该鳍(210)的该侧表面与该底面上的栅极电介质层(410)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||