| 发明名称 | 磁性随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。一种磁性随机存取存储器，包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间，且绝缘层的厚度为1000埃以下。介电层配置于基底上并覆盖磁性层、绝缘层及第一导体层。接触窗配置于介电层中，且接触窗分别电性连接于第一导体层与磁性层。第二导体层配置于介电层上，第二导体层包括两个导体图案，且各导体图案分别电性连接在所对应的各接触窗。 | ||
| 申请公布号 | CN101335288A | 申请公布日期 | 2008.12.31 |
| 申请号 | CN200710109581.2 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吕昭宏 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;陈小雯 |
| 主权项 | 1.一种磁性随机存取存储器，包括：基底；第一导体层，配置在该基底上；磁性层，配置在该第一导体层上；绝缘层，配置在该第一导体层与该磁性层之间，且该绝缘层的厚度为1000埃以下；介电层，配置在该基底上并覆盖该磁性层、该绝缘层及该第一导体层；两接触窗，配置在该介电层中，且该些接触窗分别电性连接在该第一导体层与该磁性层；以及第二导体层，配置在该介电层上，该第二导体层包括两导体图案，且各该导体图案分别电性连接在所对应的各该接触窗。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||